Nova METRION®的用例

幾個用例,我們將探討新星METRION®係統包括汙染控製,過程偏移預防、反應器匹配和均勻性控製。這些用例的目標是檢測汙染物可以殺死設備,改善阻擋層和源/排水功能,維持沉積均勻性影響下遊流程,並確保薄片一致性。

用例# 1:摻雜劑濃度

第一個用例,討論是摻雜濃度為邏輯設備。自很小的硼濃度的變化在一個邏輯設備晶片可以影響最終的邏輯設備的性能,METRION可以用來限定,監視器,並匹配Epi錢伯斯在工廠控製生產過程。

Epi的過程中,METRION也可以幫助控製一些關鍵工藝參數。其中之一就是Epi生長均勻性,通過跟蹤測量的鍺濃度和硼鍺比(稱為“鍺分數”)。

其他關鍵參數METRION可以測量包括摻雜劑濃度剖麵,加上整個晶圓峰濃度和均勻性。

在下麵的圖中(圖1),我們可以看到的一個例子一個測量硼、鍺和矽濃度配置文件。

圖1在鍺矽硼濃度剖麵

在下一個圖(圖2我們看到跟蹤隨著時間的平均濃度和硼鍺分數。這個數據是自動上傳到工廠主機的程控Epi的過程。

圖2自動化外延SPC

由於室資格和匹配的工廠,客戶可以實現更嚴格的過程控製的具有挑戰性的外延工藝和更高的正常運行時間Epi腔。

用例# 2:沉積均勻性

第二個用例,我們將回顧在Nanosheets控製矽沉積的均勻性。盡管Gate-All-Around開始取代FinFET作為晶體管技術,因為它產生更好的性能和更低的能耗,創造這些nanosheets有挑戰。万博mantex体育入口

製造業中的關鍵步驟之一Nanosheets或Gate-All-Around鍺矽的沉積。

鍺的濃度,特別是其在每個nanosheet上均勻沉積,會顯著影響選擇性的腐蝕過程和對晶體管性能有著直接的影響。

內聯METRION SIMS可以用來監控within-layer和within-wafer一致性並幫助優化nanosheet製造。

作為一個例子,下麵的圖(圖6),我們看到了鍺濃度變化在每一個三Nanosheets。還要注意經濟增長差異在第一nanosheet相比其他兩個。這可能意味著一些鍺在腐蝕留下。因此,監控每個Epi層的厚度是關鍵。

圖3:鍺矽生長均勻性監控

在下麵的圖中(圖4)的一致性鍺濃度在整個晶片顯示,基於一個九分METRION SIMS測量。這些可以生成等高線地圖測量從隻有5分。

圖4:內聯鍺沉積在晶片均勻性

用例# 3:汙染檢測

要考慮下一個用例是汙染檢測。有許多在線申請汙染控製設備由於雜質可以殺手,導致有價值的晶片被取消了。汙染可以越早發現,越晶片將被保存,積極影響產量和生產力的工廠。

下一個例子是一個3 d NAND閃存應用氯和氟濃度測定的晶片,如下圖所示(圖5)。

圖5:Cl和F Concentration-Depth概要文件

Nova METRION®生成一個成分剖麵在整個晶片堆棧。接下來的圖(圖6)是一個過程的一個例子遊覽,從數據上傳到工廠主機識別。Faster-time-to-data意味著生產團隊可以提醒一旦發生偏移,允許過程工程師做出調整和保護的一些晶片,提高產量。

圖6:氟程控

用例# 4:植入物控製

最後新星METRION®用例,我們將回顧植入控製內存設備。

硼植入物的一致性和濃度對器件性能有直接影響。

與一個內聯METRION SIMS係統客戶可以執行每周的一些這樣,識別過程遠足,錢伯斯和統一上傳地圖,比如在右下角。

收集這些數據在線計量實驗室需要的一些負擔,使數據用於程控通過工廠的主人。

在接下來的圖(圖7)我們看到METRION測量植入硼的濃度剖麵的結果。這對比METRION和實驗室模擬人生測量顯示良好的相關性。

圖7:植入硼濃度剖麵

總之,Nova METRION®提供多種高附加值的用例生成time-to-results更快,減少廢品。這可以節省資金,提高生產力,這是無價的半導體製造商在今天的競爭格局。