文摘
全麵的進化壓力在through-silicon-vias數組(TSV)開發使用在線拉曼光譜。一組晶片與不同的TSV幾何形狀和金屬種子襯墊厚度暴露在不同退火條件。監控通過之間的嘶嘶聲子模式轉變,通過幾何圖形和工藝條件的影響在壓力Si襯底具有無損。壓應力存在於靠近tsv郵報銅填充、。然而,對於數組小TSV音高,基質不通過之間的空間得到充分的放鬆,而是拉應力積累在數組。這inter-via壓力增加而減少TSV音高,積累對數組的中心和強烈依賴於退火條件。高分辨率陣列內的拉曼圖展示的全貌TSV應力分布的數組。通過使用不同的激發波長,應力隨深度的變化對矽晶片。研究結果表明在線訪問闡釋壓力信息的價值。這些知識有助於定義為最高的設備性能或設計基本規則最大化為邏輯設備晶片上的可用區域。
