文摘
在半導體行業,離子注入過程已經擴大到廣泛應用劑量和能量跨越好幾個數量級。
離子注入是一個非常複雜的過程,有許多參數和影響因素植入概要文件。例如,陰影效果更高比例的光致抗蝕劑,離子通道或de-channeling效果由於植入角度的變化,和劑量和植入能源精度都是重要的因素在實現統一的設備性能和良好的產品產量。此外,當前過程控製進行測試晶片與特定的時間間隔,在發送樣品粉碎SIMS分析以外的工廠。周轉時間通常長,結果往往不能反映實際的生產條件。眾所周知在某些情況下,控製圖在好站,產品未能滿足其規範。一致的植入材料的需求正變得越來越重要。因此,渴望更好的植入過程控製是非常必要的。
本文探討了如何利用二次離子質譜法(SIMS)的在線測量濃度峰值,峰值深度和劑量,同時提供更好的植入過程控製。
