文摘
外延過程的沉積在半導體製造技術,因為它支持的能力達到更高的摻雜濃度比通過離子注入可以獲得。當我們邁向< 5納米技術,使gate-all-万博mantex体育入口around場效應晶體管的一個關鍵過程(GAAFET)是堆疊multi-lattice矽(Si)和矽鍺(鍺矽)構建nanosheets epi過程。
鍺矽鍺(Ge)含量與通道的壓力,和鍺分數(Ge %)一直在穩步增加我們朝著小技術節點。万博mantex体育入口當壓力高,epi層可以有多個問題等缺陷的形成,一方麵形成,非均勻應變,等等的挑戰更大,從平麵到三維結構,在應變均勻性和控製缺陷密度是重要的。通常,多個epi的鍺矽層厚度不同,通用電氣%,硼沉積摻雜來優化設備結構和流程集成。
使過程控製層厚度,Ge %和硼摻雜濃度在這些複雜SiGeB epi棧是大批量製造的關鍵(HVM),並沒有單一的在線計量測量。
本文介紹了直列式二次離子質譜(SIMS)可能是一個解決這個問題通過提供材料組成資料深度的函數,導致厚度、通用電氣從每個nanosheet %和硼濃度數據
