文摘:利用二次離子質譜(SIMS)在線計量學是一個新興的過程控製方法,需要3測量,使西姆斯在產品晶片。西姆斯的測量負離子通常與銫主要離子束。銫存在於矽,不幸的是,當它形成陷阱州如果帶隙,可導致嚴重的滲漏問題Si-base晶體管。因此,被認為是一種非常有害的汙染物銫在半導體器件。
另一方麵,一個氧主要離子源,這是通常用於積極次級離子測量,是主要的梁內聯SIMS的首選,因為它是良性的,而不是視為一種汙染物。通過切換二級分光計極性之間積極和消極離子模式,主要一個氧離子源可以成功地用於衡量正麵和負麵
物種。
雖然一個氧主要離子源可能不提供相同的敏感性負二次離子銫主要離子束,能夠直接測量範圍的物種沒有汙染的風險在線SIMS應用程序創建了一個廣泛的領域。
在本文中,使用一個氧主要離子源正負二次離子檢測正在調查在一個在線模擬人生的工具。我們評估檢測汙染物的敏感性水平C、F, Cl在積極和消極離子模式主要氧離子束,以及代理物種或替代同位素的使用改善的結果。
