全麵隔離（GAA）技術啟用的散射法万博mantex体育入口

抽象的
邏輯矽擴展的未來在於全程（GAA）開發項目的核心（1）。由於進一步的FinFET流量擴展的局限性增加，全球研究小組正在製造垂直和水平納米線（NW）集成方案。水平NW由於與現有FinFET集成流的相似性而引起了人們的關注（2）。反過來，這允許擴展現有流程和計量平台的使用情況，並降低轉移到新技術的成本。万博mantex体育入口盡管整合變化似乎受到限製，但它們為Fab計量學帶來了許多新的障礙。隨著有趣的新參數的出現，計量能力需要實現更高的性能並開發新的解決方案方法（3）（4）。
本文著重於幾個關鍵過程步驟，這些過程與FinFET過程流量不同，並討論了OCD（光學臨界維度）散射量的功能。在納米線釋放步驟中，通過幹蝕刻去除一個sige虛擬層，留下活性矽納米線。這些納米線概況和厚度需要詳細的計量學，以確保該設備可以執行預期規格。為了檢查該應用程序的散射量表，實驗設計（DOE）是在多個過程步驟中創建的。
在鰭片形成過程中，我們描述了施加矽 - 矽鍺（Si-sige）多層沉積的條件，在晶圓之間更改了sige層厚度的情況下。進一步顯示了如何使用散射法來維持X射線反射率（XRR）精度並確保更高的采樣能力。使用鰭式DOE來改變總的凹陷深度，從而使較低的sige層在準備後來的SIGE釋放蝕刻步驟的準備過程中以不同的量顯示。我們討論一個過程條件，可以使用原子力顯微鏡（AFM）和散射法，並證明AFM具有有限的功能，並且隻能使用散射測量法。本文報道的最終過程是納米線釋放（NW釋放）蝕刻方法，其中在矽NW剩下時釋放SIGE。DOE由兩種蝕刻方法組成，每種方法提供了不同的NW輪廓。我們解釋了如何使用特定的目標設計來監視納米線輪廓。最後，我們討論了由於透射電子顯微鏡（TEM）富含抽樣的提高準確性。
關鍵字：散射測量，全程閘門，GAA，納米線釋放，XRR，AFM，TEM。