腐蝕

在半導體製造中，蝕刻過程通過選擇性地去除材料在晶圓上創造圖案特征。集成電路製造通常要求晶圓經曆多次圖案循環，其中導體和介電特性是根據在前一個光刻步驟中定義的圖案蝕刻的。

行業麵臨的挑戰

新技術，如多圖案、3D設備和多層薄膜堆棧正在引入蝕刻工藝複雜性的顯著增加。過渡到高縱橫比，3D晶體管設計需要嚴格控製垂直剖麵，以確保充分和均勻的器件性能。結合縮小的特征尺寸，這決定了在晶圓上的埃級蝕刻均勻性以及蝕刻腔與腔室的匹配，這反過來又要求亞埃計量精度。

下一代垂直存儲器的無損測量也成為蝕刻過程控製的關鍵需求。厚交變層堆棧包含埋藏的特征，需要高精度蝕刻高縱橫比接觸。測量這些複雜的結構需要對非常小的輪廓特征變化的光學靈敏度，以及先進的光學CD模型，以考慮光與整個垂直存儲結構的相互作用。

新星的解決方案

Nova的在線光學計量技術為當前和下一代蝕刻挑戰提供了廣泛的應用解決方案。我們的獨立散射測量平台提供高性能解決方案，具有最大的應用靈活性。這種性能對於極其困難的3D應用是需要的，如通道腔蝕刻測量，其中多個關鍵參數，如腔CD、深度和接近性必須測量。Nova還為需要晶圓到晶圓或晶圓內前饋(FF)或反饋(FB)控製的複雜蝕刻應用提供集成計量(IM)解決方案。

通過最大限度地提取光譜信息，我們的NovaFit解決方案可用於擴展我們的光學計量能力，通過最大限度地減少結構複雜性的影響，並提供參考計量的直接鏈接，如電測試測量。

Nova的基於x射線的在線計量解決方案通過利用獨特的優勢從結構中提取蝕刻後的尺寸信息，補充了我們的光學技術。例如，我們的低能x射線熒光(LE-XRF)技術可以通過量化蝕刻後結構中存在的臨界原子物種的變化來提供臨界尺寸(C万博mantex体育入口D)信息，例如磁隨機存取存儲器(MRAM)器件中發現的磁隧道結(MTJ)柱。

對於一些最具挑戰性的蝕刻應用，我們的混合計量解決方案結合了兩種或更多計量技術的優勢，提供優於每一種技術單獨獲得的結果。万博mantex体育入口