光刻技術
在半導體工業中，光刻(通常稱為“光刻”)是在晶圓上創建所需電路的微觀圖案的過程。最常見的光刻工藝(包括“幹式”光學光刻、浸沒式光學光刻和極紫外光刻(EUVL))使用光來創建圖案，因此稱為光刻工藝。然而，有些光刻工藝並不使用光來創建圖案，包括納米壓印光刻(NIL)和電子束無掩模光刻。
光刻過程包括以下幾個步驟:
- 在晶圓上塗上感光的光刻膠薄膜
- 用通過具有所需電路圖案的掩模投射的光來曝光薄膜
- 顯影光刻膠薄膜，在晶圓上留下所需的圖案
行業麵臨的挑戰
隨著半導體技術的發展，不僅每個新技万博mantex体育入口術節點的光刻膠臨界尺寸(CD)趨於減小，而且CD規格範圍變得更窄，CD跨模、跨晶圓、晶圓到晶圓和批次到批次的一致性(CDU)範圍也變得更窄。對這些光盤測量的計量要求相應地也變得更加困難。
基於電子束的測量可以在暴露於電子的過程中收縮光刻膠，潛在地影響測量質量。此外，光刻膠剖麵測量也經常需要，主要是光刻膠側壁角(SWA)的測量。對於EUVL, SWA的測量是特別困難的，因為光刻膠很薄。
基於非光學的光刻方法麵臨著獨特的挑戰，包括NIL的殘餘層厚度(RLT)的測量和電子束無掩模光刻的拚接效果。
新星的解決方案
Nova的光學計量技術為當前和下一代光刻挑戰提供了廣泛的應用解決方案。我們的獨立散射測量平台提供卓越的精度、精度和工具到工具的匹配，具有最大的應用靈活性，包括當前和下一代光刻方法所需的全輪廓信息。我們的光學計量係統的高吞吐量使得高容量製造和高空間采樣光刻技術發展所需的采樣率，而沒有光刻膠收縮效應。
