等離子體鹵化a-C:H作為氧化鈦ASD生長抑製層

摘要
區域選擇性沉積(ASD)工藝的自對準使該技術成為一種很有前途的解決方案万博mantex体育入口
EUV時代的精確模式定位。任何ASD過程的關鍵挑戰是它的缺陷與
生長抑製表麵的沉積。因此，使用適當的集合來限定ASD過程的能力
在線計量工具是技術升級的關鍵。万博mantex体育入口在本研究中，我們提出了一個區域選擇的新概念
並以ALD TiO2的生長為例，展示了在線OCD和XPS工具在評估ASD方麵的潛力
流程。本文提出的新工藝是在等離子體存在下，在SiO2/SiN上選擇性生長TiO2
鹵化無定形碳(a- c:H)作為生長抑製層。a-C:H暴露於CF4或Cl2等離子體
形成了一層抑製TiO2成核的富鹵素薄膜，而後者受影響最小
等離子體處理SiNx或SiO2層。選擇性是評估毛毯薄膜和45 nm半間距a-C:H線
模式。對毛毯a- c:H底物的分析表明，等離子體氯化提供了更多的
與氟化相比，有效的生長抑製。然而，cf4等離子體的刻蝕能力最高
a-C:H表麵使其更適合應用於a-C:H圖案，其表麵通常是汙染的
用硬麵具或等離子體的殘留物。因此，對ac: c:H線花紋表麵進行預清洗
用cf4 -血漿來恢複氯化a-C:H的生長阻滯效率。
關鍵詞:麵積選擇性沉積，ALD，非晶碳，缺陷，OCD, XPS，在線計量