用於堆疊納米eet設備製造的在線拉曼光譜
撰寫者：D。Schmidt，C。Durfee，J。Li，N。Loubet，A。Cepler，L。Neeman，N。Meir，J。Ofek，Y。Oren，D。Fishman |SPIE 2021，2021年2月1日
抽象的
在串聯拉曼光譜中，用於整個新一代前端製造的組成和應變計量學
提出了堆疊的全納米片納米片現場效應晶體管。薄而完全的層
擬傷的偽形態Si（1-X）GEX和Si在SI底物上外世生長，然後呈模式。故意的
通過更改GE含量（X = 0.25，0,35，0.50）引入應變變化。偏振依賴性內線拉曼
使用光譜法來表征和量化整個整個Si和Si（1-X）GEX納米片的應變演化
通過關注Si-Si和Si-GE光學聲子模式的分析，前端處理。評估準確性
在拉曼計量結果中，通過非破壞性高分辨率X射線衍射獲得了應變參考數據
以及使用進動電子衍射的破壞性晶格變形圖。發現鍺合金
通過拉曼光譜獲得的組成以及Si和Si和Si和Si（1-X）GEX菌株與參考非常吻合
計量並遵循先前發表的模擬的趨勢。
關鍵詞：拉曼光譜，應變，壓力，全能門，納米片FET
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