一項整體計量敏感性研究，用於對帶有掩模設計的EUV圖案設備結構的模式粗糙度定量誘導的粗糙度

抽象的
監視高級技術節點的模式粗糙度至關重要，因為這種粗糙度會對設備產生不利影響万博mantex体育入口
產量和降解設備性能。用於在線粗糙度測量的主要行業工作馬是CD-SEM，
但是，今天沒有足夠的參考指標工具可以評估其粗糙度測量敏感性
和精度。為了彌合這一差距，在這項工作中，不同分析技術的粗糙度測量能力
被調查。不同的計量方法用於評估相同樣本的粗糙度，結果為
比較並以整體方法進行比較，以更好地表征和量化測得的模式粗糙度。促進
各種計量技術與CD-SEM敏感性的評估之間的相關性，有效的方法
是通過在設計模式上添加明確定義的粗糙度來以受控的方式誘導模式粗糙度
euv麵膜並測量CD-SEM和其他技術對這些不同模式的響應和靈敏度
粗糙度水平曾經打印在晶圓上。本文介紹了各種的粗糙度測量結果
在EUV光刻繪畫上，包括CD-SEM，OCD，S-TEM和XCD在內的計量技術均具有圖案化的瓦麵術
和後蝕刻。也證明了最近開發的計量增強功能的好處。
自動化TEM允許生成準確且相當精確的參考粗糙度數據，機器學習啟用OCD
基於粗糙度計量學與CD-SEM和STEM良好相關，EUV和X射線的靈敏度提高了
散射係統允許提取與CD-SEM相關的粗糙度信息。
關鍵字：模式粗糙度，整體計量學，EUV散射，X射線散射，OCD，STEM，CD-SEM，計量學
精度，計量敏感性