光譜學：納米絲晶體管腔蝕刻臨界值計量學的新途徑
撰寫者：J。Bogdanowicz，Y。Oniki，K。Kenis，Y。Muraki，T。Nuytten，S。Franquet，A。Franquet，V。Spampincinato，T。Conard，I。Hoflijk，I。Hoflijk，J。Meersschaut，N。Claessens，N。Claessens，N。Claessens，A。Moussa，D。VanDen Heuvel，J。Hung，R。Koret，A.-L。Charley，P。Leray，|SPIE 2021，2021年2月1日
抽象的
柵極全能Si晶體管的處理需要垂直堆疊的納米厚的Si板或電線。
為此，在通常在過程步驟中選擇性地蝕刻了SIGE/SI超級晶格的SIGE層
稱為腔蝕刻1,2。控製蝕刻的Sige材料的數量，即腔深度，對於最佳裝置至關重要
表現。不幸的是，這種臨界維度（CD）隻能通過耗時的橫截麵來衡量
電子顯微鏡，從而導致統計數據有限，從而控製了整個晶圓和批處理的腔深度。作為
這項工作邁出了快速內聯腔深度測量測量的第一步，評估了對腔的敏感性
常規CD計量學的深度和腔深度樣品上的替代自上而下的光譜技術
範圍從0到30 nm。正如我們所顯示的，雖然光學CD散射法仍然是一種選擇的技術
吞吐量和靈敏度，拉曼和能量分散性X射線光譜也顯示出非常有希望的結果
他們對剩餘的sige體積的簡單敏感性。最後，二級離子質譜法提供了獨特的腔
盡管耗時且具有破壞性，但對SIGE殘留物具有很高的敏感性分析能力。
關鍵字：腔蝕刻，側麵凹陷，臨界維度，內聯測量，拉曼光譜，能量分散X射線
光譜，X射線光電子光譜，次級離子質譜法
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