基於多通道OCD的三維結構複雜計量

摘要
設備縮放不僅推動了測量在更複雜的結構上的應用，比如幾何結構，
材料，更嚴格的基本規則，但也需要從非模式的測量地點轉移到模式
的人。這對高度依賴於結構幾何形狀的非常薄的薄膜層尤為重要
或者晶圓模式因子。盡管二維(2D)站點經常被發現足以進行過程監視和
控製非常薄的薄膜，有時需要3D站點進一步模擬裝置內的結構。的
然而，在複雜的3D站點上測量隻有幾個原子厚的薄膜厚度是非常具有挑戰性的。分開
從測量三維點上的薄膜，還迫切需要測量三維點上的參數，這些參數是薄弱的
對光學臨界尺寸(OCD)測量的靈敏度較低，具有較高的精度和精密度。因此,state-ofthe -
藝術方法需要解決這些計量挑戰。這項工作引入了增強型強迫症的概念
它使用各種方法來提高複體中弱參數的靈敏度和降低相關性
測量。這項工作還描述了更多的信息渠道，如果正確使用，可以改善
感興趣的弱、不敏感或複雜參數的精度和準確性。
關鍵詞:強迫症，散射法，增強強迫症，XPS，高k, 3D，接近性，TMU