開發SIGE壓痕過程控製以啟用堆疊的納米片FET技術万博mantex体育入口
Authored by: Dexin Kong, Daniel Schmidt, Mary Breton, Abraham Arceo de la peña, Julien Frougier, Andrew Greene, Jingyun Zhang, Veeraraghavan Basker, Nicolas Loubet, Ishtiaq Ahsan, Aron Cepler, Mark Klare, Marjorie Cheng, Roy Koret, Igor Turovets|ASMC 2020，2020年5月1日
抽象的
提出並討論了使用光散射，X射線熒光和機器學習算法來測量SIGE納米片的側向蝕刻或壓痕的方法。用不同的蝕刻條件製造了堆疊的納米片設備結構，以誘導縮進的變化。已經發現，兩種散射法與光譜幹涉法和新的解釋算法以及TEM校準LE-XRF都是量化縮進的合適技術。機器學習算法通過將LE-XRF數據與散射測量光譜相結合，從而啟用了其他解決方案路徑，從而避免了需要完整的光學模型。
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