由EUV單曝光模式圖案化14nm半間距BEOL層的散射溶液

抽象的
為了跟上邏輯區域縮放，BEOL尺寸以加速的速度降低，
導致較小的金屬間距和導線的橫截麵積減小。結果，路由
擁塞和戲劇性的RC延遲（由增加的電阻電容（RC）產品產生）
已成為進一步互連擴展的重要瓶頸，推動介紹的需要
BEOL中的新材料和集成方案。
目前的論文研究了使用單一曝光EUV創建的鑲嵌工藝流程
金屬線和2D圖案在14nm的金屬半間距，對應於邏輯的IMEC N5節點
BEOL層。使用具有負色調抗蝕劑工藝的明亮場掩模來開發溝槽和
將這些圖案轉移到氧化物介電層中。在此之後，溝渠充滿了
釕（Ru）用於電氣測試。測試車包括多種結構，包括電子測試
電阻和電容結構，允許綜合研究所提出的工藝流程。
本文將討論各種過程步驟的計量要求和性能。
我們的焦點將在散射測定方法與機器學習（ml）一起允許快速
並準確測量大型采樣的多個感興趣的參數。在目前的論文中，
我們呈現了線條和空間關鍵尺寸（CD），線邊緣的內聯測量結果
粗糙度（ler） - 在圖案化之後和硬掩模蝕刻之後，以及電氣的預測
Ru CMP後金屬線的性能。此外，散射測量儀inline tipto-
提示（T2T）測量成功顯示。
關鍵詞：EUV光刻，明場EUV掩模，間距28M，散射測定法，釕
鑲嵌金屬化，機器學習，過程控製，電子試驗預測，電阻和
電容