使用在線XPS的PFET EPI中硼和鍺對硼和鍺的完整結構晶體管過程監測

抽象的
來源/排水結構的外延生長需要嚴格控製硼和鍺的過程
組成以確保設備性能一致。但是，在線監測外延成分
FinFET結構一直是過程開發和製造的最困難挑戰之一。
傳統的在線監控方案嚴重依賴臨界維度（CD）測量，沒有
組成信息。取而代之的是，諸如離線分析技術（例如
次級離子質譜法（SIMS），它具有破壞性，並且不會直接測量成分
FinFET設備結構。在本文中，我們介紹了在線X射線光電子光譜（XPS）的結果
芬費結構的測量。該技術不僅對單個元素豐度敏感，而且還給予
與當地化學環境有關的信息。對於此應用，我們監視了矽，鍺和硼
SIGEB EPI源/排水3D結構中的濃度，而不會受到邏輯中其他結構特征的幹擾
設備。PFET EPI硼和鍺的在線XPS測量以這種方式執行
已證明晶體管與CMOS設備性能相關，從而顯著減少了檢測的時間
外延成分漂移或偏移。
關鍵字：在線XPS，計量學，硼，過程監測，EPI，鍺，Sige，FinFets。