多個電子束光刻的散射法控製

抽象的
評估散射法，以監測模仿非均勻性的創新散射目標中的預期變化
提出了可能由多片無掩模光刻（MEB-ML2）引起的。專門的散射法
產生了由線條和空間組成的目標，這些目標是使用名義或POR暴露的部分（過程）
記錄），劑量和部分劑量略有不同。這些暴露計劃創建了不同的目標
線CD（臨界維度）。實施了多個目標設計，每個設計的數量級不同
cd偏移和包含帶移位CD的線的區域的大小。散射法或OCD（光學關鍵
維度），光譜顯示由CD變化的區域引起的明顯變化，散射測量結果的趨勢匹配
與估計CD的趨勢以及使用臨界尺寸掃描產生的趨勢以及通過測量產生的趨勢
電子顯微鏡（CD-SEM）係統。最後，OCD結果與CD-SEM測量相關。服用
考慮到整個晶圓的抗性形態變化，加權的強迫症與CD-SEM之間的相關性
各個目標的平均CD表明非常好。使用嚴格的TMU分析完成相關性
方法。由於每個散射測量結構內的靶向CD值不同，這是一種新方法
提出了估計名義上不均勻目標的CD-SEM測量結果的誤差。
關鍵字：散射法，替代光刻，電子束光刻，多束，多束束，劑量變化，
TMU，TMU分析