通過散射法和機器學習測量EUV VIA中的局部CD均勻性
撰寫者：Dexin Kong，Daniel Schmidt，Jennifer Church，Chi-Chun Liu，Mary Breton，Cody Murray，Eric Miller，Eric Miller，Luciana Meli，John Sporre，John Sporre，Nelson Felix，Ishtiaq Ahsan，Aron J. Cepler，Marjorie Cheng，Marjorie Cheng，Roy Koret，Roy Koret，Roy Koret，Iger，Igor，Igor，Igor，Iger，Iger卷餅|SPIE 2020，2020年2月1日
抽象的
通過使用光學來獲得接觸孔陣列的局部臨界維度均勻性的方法
介紹並討論了與機器學習算法結合使用的散射法。交錯的接觸孔
使用三種不同的陽性色調化學放大的抵抗，通過EUV光刻創建了44 nm螺距的陣列。
為了引入局部臨界維度均勻性變化，使用了不同的劑量和焦點暴露條件。
在發育後以及蝕刻後，獲得了光學散射光譜，並將其後蝕刻到犯罪層中。參考數據
對於機器學習算法，通過臨界尺寸掃描電子顯微鏡（CDSEM）收集。這
然後使用光譜和相應計算的LCDU值對機器學習算法進行訓練
來自CDSEM圖像分析。發現可以通過提出的LCDU和CD準確測量
方法學後光刻和蝕刻後。此外，由於光譜柱的集合
開發是無損的，可以選擇相同的麵積測量值來挑選蝕刻的改進。這個光學
與計量技術可以輕鬆地實施內聯，並顯著改善吞吐量
當前使用的電子束測量。
關鍵字：散射法，機器學習，CDSEM，混合計量學，EUV，LCDU
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