多通道全方位柵(GAA)器件工藝集成的材料表征

摘要
隨著半導體器件的發展，多通道全門(GAA)半導體器件正向現實的方向邁進
開發中的成熟還在繼續。從這一發展，了解什麼物理參數影響
設備出現了。材料性質表征相對於其他物理參數具有重要意義
與它在早期體係結構中的相對重要性相比，GAA體係結構的重要性持續增加。在這些
材料的性質是鍺在SiGe通道中的濃度以及這些通道和相關薄膜的應變。但
因為這些屬性可以通過許多不同的過程步驟來改變，每個步驟都可以添加自己的變化
工藝流程中多個步驟的參數及其表征和控製是至關重要的。本文研究了
PFET SiGe通道中應變和Ge濃度的表征，以及這些特性之間的關係
材料在GAA器件加工的最初階段。生長在大塊Si襯底上，多對薄SiGe/Si
在本研究中，對最終形成PFET通道基礎的層進行了測量和表征。多個
測量技術用於測量材料的性能。在線x射線光電子能譜(XPS)
采用低能x射線熒光法(LE-XRF)和在線高分辨率x射線法表征Ge含量
用衍射(HRXRD)表征應變。因為研究了模式結構和非模式結構，
散射法(也稱為光學臨界尺寸，或OCD)被用來提供有價值的幾何計量。
關鍵詞:OCD，散射法，門全能，GAA, XPS, XRF，應變，SiGe